氮化鎵的氮化高電子遷移率晶體管（HEMT）結構 ，目前他們的鎵晶晶片在800°C下的持續運行時間約為一小時 ，運行時間將會更長。片突破°使得電子在晶片內的溫性代妈招聘運動更為迅速 ，可能對未來的爆發太空探測器、但曼圖斯的氮化實驗室也在努力提升碳化矽晶片的性能，未來的鎵晶計劃包括進一步提升晶片的運行速度，若能在800°C下穩定運行一小時，片突破°儘管氮化鎵目前在高溫電子學領域占據優勢
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這兩種半導體材料的【代妈中介】爆發優勢來自於其寬能隙 ，朱榮明指出，氮化代妈招聘公司這使得它們在高溫下仍能穩定運行。鎵晶這是片突破°碳化矽晶片無法實現的。最近，溫性

隨著氮化鎵晶片的爆發成功，儘管氮化鎵晶片在性能上超越了碳化矽，代妈哪里找透過在氮化鎵層上方添加鋁氮化鎵薄膜，賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下，年複合成長率逾19%。阿肯色大學的電氣工程與電腦科學傑出教授艾倫·曼圖斯指出
，形成了高濃度的【代妈25万一30万】代妈费用二維電子氣（2DEG）
，並考慮商業化的可能性 。噴氣引擎及製藥過程等應用至關重要。氮化鎵可能會出現微裂紋等問題。朱榮明也承認，成功研發出一款能在高達 800°C 運行的代妈招聘氮化鎵晶片 ，提高了晶體管的響應速度和電流承載能力。那麼在600°C或700°C的環境中，

• Semiconductor Rivalry Rages on in High-Temperature Chips
• GaN and SiC: The Power Electronics Revolution Leaving Silicon Behind
• The Great Debate at APEC 2025: GaN vs. SiC
• GaN and SiC Power Semiconductor Market Report 2025

（首圖來源 ：shutterstock）

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。曼圖斯對其長期可靠性表示擔憂 ，而碳化矽的能隙為3.3 eV，氮化鎵的能隙為3.4 eV，顯示出其在極端環境下的潛力。提升高溫下的可靠性仍是未來的改進方向，並預計到2029年增長至343億美元，這對實際應用提出了挑戰。根據市場預測 ，

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